ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Mémoire DRAM avec code de correction d'erreurs intégré (ECC)

La mémoire DRAM avec ECC intégré d'ISSI permet de simplifier la conception des systèmes, d'économiser de l'énergie et de réduire l'empreinte mémoire sur les cartes

Image de la mémoire DRAM avec ECC intégré d'ISSILa mémoire de 4 Go avec ECC (code de correction d'erreurs) intégré d'ISSI est rétrocompatible avec la mémoire standard. Ce type de produit présente l'avantage d'améliorer considérablement la robustesse et la qualité des données, tout en simplifiant la conception du système, en économisant de l'énergie et en réduisant l'empreinte mémoire sur la carte. Ces dispositifs sont tout particulièrement adaptés aux systèmes à haute fiabilité.

Fonctionnalités
  • Détection et correction des erreurs
  • Aucun algorithme ni E/S supplémentaire requis
  • Gain d'espace sur la carte
  • Réduction du taux d'erreur
  • Prise en charge d'une température de fonctionnement jusqu'à +125°C
Applications
  • Réseaux
  • Serveurs et stockage
  • Conduite autonome
  • Avionique commerciale
  • Applications médicales

DRAMs with On-Chip Error Correcting Code (ECC)

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640ED-125KBLIIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA165 - Immédiatement$6.53Afficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640ED-125KBLI-TRIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA1500 - Immédiatement$6.11Afficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640ED-15HBLIIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA178 - Immédiatement$6.33Afficher les détails
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640ED-15HBLI-TRIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA1500 - Immédiatement$5.92Afficher les détails
IC DRAM 4GBIT PAR 96BGAIS43TR16256ECL-125LB2LIIC DRAM 4GBIT PAR 96BGA114 - Immédiatement$13.54Afficher les détails
IC DRAM 4GBIT PAR 96BGAIS43TR16256ECL-125LB2LI-TRIC DRAM 4GBIT PAR 96BGA1650 - Immédiatement$12.54Afficher les détails
Date de publication : 2025-03-10

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