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eGan® FET's Characteristics
EPC
This tutorial covers the operation of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors. To explain the eGaN devices’ ease-of-use, it is necessary to first understand how the device operates and highlight both the similarities and differences versus current power MOSFETs.
Related Parts
| Image | Référence fabricant | Description | Fonction | Embarqué | Circuit intégré/composant utilisé | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC9001 | EVAL BOARD FOR EPC2015 | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET externe) | Non | EPC2015 | 0 - Immédiatement | $77.20 | Afficher les détails |
|  | EPC9017 | EVAL BOARD FOR EPC2001 | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET externe) | Non | EPC2001 | 0 - Immédiatement | $101.86 | Afficher les détails |
|  | EPC9027 | EVAL BOARD FOR EPC8007 | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET externe) | Non | EPC8007 | 0 - Immédiatement | $123.31 | Afficher les détails |
|  | EPC9002 | EVAL BOARD FOR EPC2001 | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET externe) | Non | EPC2001 | 0 - Immédiatement | $77.20 | Afficher les détails |
PTM Published on: 2010-10-06
France