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Driving eGaN® Power Transistors
EPC
This tutorial covers the advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors. Explored in this module will be how to drive eGaN transistors in order to take advantage of those improvements in actual design circuits. To best understand the differences of an eGaN-specific gate drive and a generic MOSFET driver, the characteristics an “ideal” eGaN gate drive will have to be taken into consideration.
Related Parts
| Image | Référence fabricant | Description | Fonction | Embarqué | Circuit intégré/composant utilisé | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC9001 | EVAL BOARD FOR EPC2015 | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET externe) | Non | EPC2015 | 0 - Immédiatement | $77.20 | Afficher les détails |
|  | EPC9017 | EVAL BOARD FOR EPC2001 | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET externe) | Non | EPC2001 | 0 - Immédiatement | $101.86 | Afficher les détails |
|  | EPC9027 | EVAL BOARD FOR EPC8007 | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET externe) | Non | EPC8007 | 0 - Immédiatement | $123.31 | Afficher les détails |
|  | EPC9002 | EVAL BOARD FOR EPC2001 | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET externe) | Non | EPC2001 | 0 - Immédiatement | $77.20 | Afficher les détails |
PTM Published on: 2010-10-11
France