NovuSem FET, MOSFET simples
Référence fabricant | Quantité disponible | Prix | Série | Conditionnement | Statut du produit | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | Rds On (max.) à Id, Vgs | Vgs(th) (max.) à Id | Vgs (max.) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | Dissipation de puissance (max.) | Température de fonctionnement | Type de montage | Boîtier fournisseur | Boîtier | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
218 Marketplace | 218 : 57,26936 € Plateau | Plateau | Actif | - | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 214A (Tc) | 20V | 12mohms à 20A, 20V | 3,5V à 40mA | +22V, -8V | 8330 pF @ 1000 V | - | - | Montage en surface | Tranche | MATRICE | |||
218 Marketplace | 218 : 41,94156 € Plateau | Plateau | Actif | - | SiCFET (carbure de silicium) | - | 214A (Tc) | 20V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
0 Marketplace | Actif | Tube | Actif | Canal N | SiCFET (carbure de silicium) | 1200 V | 47 A (Tc) | 20V | 75mohms à 20A, 20V | 2,8V à 5mA | +20V, -5V | 1450 pF @ 1000 V | 288W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Trou traversant | TO-247-4L | TO-247-4 |




