1200 V 214A (Tc) Montage en surface Tranche
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NC1M120C12WDCU

Numéro de produit DigiKey
3372-NC1M120C12WDCU-ND
Fabricant
NovuSem
Numéro de produit du fabricant
NC1M120C12WDCU
Description
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Référence client
Description détaillée
1200 V 214A (Tc) Montage en surface Tranche
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
NovuSem
Série
NC1M
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
214A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
12mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 40mA
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8330 pF @ 1000 V
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
Tranche
Boîtier
MATRICE
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En stock: 218
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PRODUIT MARKETPLACE
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
21857,55693 €12 547,41 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:57,55693 €
Prix unitaire avec TVA:69,06832 €
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