Canal N 1200 V 47 A (Tc) 288W (Ta) Trou traversant TO-247-4L
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NC1M120C75HTNG

Numéro de produit DigiKey
3372-NC1M120C75HTNG-ND
Fabricant
NovuSem
Numéro de produit du fabricant
NC1M120C75HTNG
Description
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 47 A (Tc) 288W (Ta) Trou traversant TO-247-4L
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
NovuSem
Série
NC1M
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
47 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
75mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
2,8V à 5mA
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1450 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (max.)
288W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4L
Boîtier
TO-247-4
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