FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
178 196
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02217 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
27 950
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02217 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
155 789
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02254 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
257 062
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03044 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
421 385
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03461 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohms à 100mA, 2,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
223 727
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03326 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
65 870
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03381 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
202 512
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03604 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 240mA, 10V
2,5V à 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
23 124
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03602 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
184 190
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03807 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
800mV à 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
UMT3F
SC-85
DTA023YMT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
2 184
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,03258 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
100mA (Ta)
1,2V, 4,5V
3,8ohms à 100mA, 4,5V
1V à 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VMT3
SOT-723
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
259 676
En stock
1 : 0,20000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03843 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohms à 170mA, 10V
2V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
149 220
En stock
1 : 0,20000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,03422 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6ohms à 10mA, 4V
1,5V à 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VESM
SOT-723
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
84 855
En stock
1 : 0,20000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03993 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTD143ECHZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
208 407
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04053 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
193 468
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04242 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-523
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
47 880
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04301 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
460mA (Ta)
1,8V, 4,5V
700mohms à 350mA, 4,5V
1V à 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-523
SOT-523
39 732
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03562 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
250mA (Ta)
1,2V, 4,5V
1,1ohms à 150mA, 4,5V
1V à 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
CST3C
SC-101, SOT-883
SOT-523
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
20 454
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04317 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-523
SOT-523
BCV27
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
227 567
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04658 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
220mA (Ta)
2,7V, 4,5V
4ohms à 400mA, 4,5V
1,06V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
109 338
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04583 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
8ohms à 170mA, 10V
2V à 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
83 806
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04518 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
120mohms à 2,8A, 4,5V
1,2V à 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
37 825
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04460 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
380mA (Ta)
1,8V, 4,5V
2ohms à 100mA, 4,5V
1V à 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
380mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-75
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
102 950
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04805 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
154mA (Tj)
2,5V, 4,5V
7ohms à 154mA, 4,5V
1,5V à 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
MMBD1401ALT1G
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
290 115
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04967 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
170mA
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
1,6V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 45 514

FET simple, MOSFET


Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.