Name: SSM3K35CTC,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K35CTCL3FTR-ND
Price: 0.252 EUR
Availability: InStock

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SSM3K35CTC,L3F
Numéro de produit DigiKey	SSM3K35CTCL3FTR-ND - Bande et bobine SSM3K35CTCL3FCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3K35CTCL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K35CTC,L3F
Description	MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface CST3C
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3K35CTC,L3F Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIII
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	250mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,2V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,1ohms à 150mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.34 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	36 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	CST3C
Boîtier	SC-101, SOT-883
Numéro de produit de base	SSM3K35

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