FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
219 402
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,01925 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
103 163
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03587 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4V
1,5ohms à 10mA, 4V
1,4V à 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3 184
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02712 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
360mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
1,5V à 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
236mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
453 516
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02187 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
156 354
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03500 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
190mA (Ta)
4,5V, 10V
6ohms à 190mA, 10V
1,8V à 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Diodes Incorporated
132 326
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03150 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
360mA (Ta)
5V, 10V
2ohms à 270mA, 10V
1,5V à 100µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
45.8 pF @ 25 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
68 941
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04233 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4,2 A (Ta)
1,8V, 4,5V
52mohms à 4,2A, 4,5V
900mV à 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1,4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
758 933
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02537 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
540 108
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,01925 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
168 699
En stock
1 : 0,14000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04864 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
21 923
En stock
1 : 0,14000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,07262 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
1,8 A (Ta)
1,8V, 8V
195mohms à 1A, 8V
1,2V à 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
ES6
SOT-563, SOT-666
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
315 028
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02625 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
131 733
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02752 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
66 192
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06848 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4,3 A (Ta)
1,8V, 4,5V
45mohms à 4A, 4,5V
1V à 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
432 571
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03500 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,4 A (Ta)
4,5V, 10V
160mohms à 1,4A, 10V
2V à 3,7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
122 655
En stock
30 000
Usine
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02712 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 240mA, 10V
2,5V à 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
110 436
En stock
7 977 000
Usine
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03242 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
92 232
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02975 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
93 089
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02975 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
14 456
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12189 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mohms à 3,6A, 4,5V
1V à 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
308 511
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02362 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohms à 100mA, 2,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
Diodes Incorporated
26 972
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05425 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
1,6 A (Ta)
4,5V, 10V
140mohms à 1,8A, 10V
3V à 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
14 012
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04112 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
90mohms à 3,6A, 4,5V
1V à 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-75
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
143 603
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03675 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
154mA (Tj)
2,5V, 4,5V
7ohms à 154mA, 4,5V
1,5V à 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
69 564
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13124 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,4 A (Ta)
4,5V, 10V
220mohms à 910mA, 10V
1V à 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
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FET simple, MOSFET


Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.