FET, MOSFET simples

Affichage de

sur 44 789

Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	219 887 En stock	1 : 0,11000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,01925 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4003NT3G MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 onsemi	103 633 En stock	1 : 0,11000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,03587 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	500mA (Ta)	2,5V, 4V	1,5ohms à 10mA, 4V	1,4V à 250µA	1.15 nC @ 5 V	±20V	21 pF @ 5 V	-	690mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJC138K_R1_00001 SOT-323, MOSFET Panjit International Inc.	3 184 En stock	1 : 0,11000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02712 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	360mA (Ta)	2,5V, 10V	1,6ohms à 500mA, 10V	1,5V à 250µA	1 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	236mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	475 204 En stock	1 : 0,12000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02187 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Infineon Technologies	156 924 En stock	1 : 0,12000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03500 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	190mA (Ta)	4,5V, 10V	6ohms à 190mA, 10V	1,8V à 13µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	20.9 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN53D0LW-7 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Diodes Incorporated	132 326 En stock	1 : 0,12000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03150 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	360mA (Ta)	5V, 10V	2ohms à 270mA, 10V	1,5V à 100µA	1.2 nC @ 10 V	±20V	45.8 pF @ 25 V	-	320mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	72 112 En stock	1 : 0,12000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04233 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4,2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	52mohms à 4,2A, 4,5V	900mV à 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	815 957 En stock	1 : 0,13000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02537 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	471 370 En stock	1 : 0,13000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,01925 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	168 912 En stock	1 : 0,14000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04864 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM6K217FE,LF MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	21 923 En stock	1 : 0,14000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07262 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	1,8 A (Ta)	1,8V, 8V	195mohms à 1A, 8V	1,2V à 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	ES6	SOT-563, SOT-666
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	315 111 En stock	1 : 0,15000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02625 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2ohms à 500mA, 10V	2,5V à 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	134 248 En stock	1 : 0,15000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02752 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	66 242 En stock	1 : 0,15000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06848 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mohms à 4A, 4,5V	1V à 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Infineon Technologies	433 231 En stock	1 : 0,15000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03500 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	1,4 A (Ta)	4,5V, 10V	160mohms à 1,4A, 10V	2V à 3,7µA	0.6 nC @ 5 V	±20V	94 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	130 793 En stock	1 : 0,15000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02712 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohms à 240mA, 10V	2,5V à 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	113 672 En stock 9 018 000 Usine	1 : 0,15000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03242 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	93 340 En stock	1 : 0,15000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02975 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	108 615 En stock	1 : 0,16000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02975 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG2302UKQ-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	15 821 En stock	1 : 0,16000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12189 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mohms à 3,6A, 4,5V	1V à 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	329 855 En stock	1 : 0,17000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02362 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohms à 100mA, 2,5V	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
DMN6140L-7 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Diodes Incorporated	27 102 En stock	1 : 0,17000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05425 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	1,6 A (Ta)	4,5V, 10V	140mohms à 1,8A, 10V	3V à 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UK-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Diodes Incorporated	15 576 En stock	1 : 0,17000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04112 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mohms à 3,6A, 4,5V	1V à 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA7002NT1G MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 onsemi	143 609 En stock	1 : 0,18000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03675 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	154mA (Tj)	2,5V, 4,5V	7ohms à 154mA, 4,5V	1,5V à 100µA	-	±10V	20 pF @ 5 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
ZXM61N03FTA MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Diodes Incorporated	69 564 En stock	1 : 0,18000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,13124 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	1,4 A (Ta)	4,5V, 10V	220mohms à 910mA, 10V	1V à 250µA	4.1 nC @ 10 V	±20V	150 pF @ 25 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Affichage de

sur 44 789

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

INFORMATIONS

AIDE

NOUS CONTACTER

NOUS SUIVRE