Modules de circuits d'attaque de puissance

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type
Configuration
Courant
Tension
Tension - Isolement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
573
En stock
1 : 16,72000 €
Tube
Tube
Actif
IGBT
3 phases
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
-
STK541UC62K-E
IGBT IPM 600V 10A 23-PWRSIP MOD
onsemi
293
En stock
1 : 20,15000 €
Tube
-
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
IGBT
3 phases
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 23-PowerSIP, 19 sorties, sorties formées
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
281
En stock
1 : 22,32000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 11,17793 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET
Onduleur en demi-pont
55 A
650 V
-
-
-
Montage en surface
52-VQFN plot exposé
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
230
En stock
1 : 30,67000 €
Bande coupée (CT)
250 : 21,16100 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET
Onduleur en demi-pont
55 A
650 V
-
Automobile
AEC-Q100
Montage en surface, joints de brasure visibles
52-VQFN plot exposé
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
240
En stock
1 : 74,80000 €
Tube
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
MOSFET
Inverseur triphasé
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,094po, 27,80mm)
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
2 679
En stock
1 : 4,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,59749 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET
Monophase
70 A
30 V
-
-
-
Montage en surface
39-PowerVFQFN
30-QFN
MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3 656
En stock
1 : 5,08000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 2,81071 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET
Demi- pont
12 A
650 V
-
-
-
Montage en surface
30-PowerVQFN
FSB50550AS
IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
onsemi
822
En stock
1 : 6,87000 €
Bande coupée (CT)
450 : 4,19784 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
IGBT
Inverseur triphasé
4 A
600 V
1500Vrms
-
-
Montage en surface
-
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2 856
En stock
1 : 7,44000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 4,25629 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET
Demi- pont
20 A
650 V
-
-
-
Montage en surface
30-PowerVQFN
241
En stock
1 : 8,04000 €
Tube
-
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
IGBT
Inverseur triphasé
5 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 23-PowerDIP (0,748po, 19,00mm)
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
115
En stock
1 : 8,13000 €
Plateau
Plateau
Actif
IGBT
Inverseur triphasé
30 A
650 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
234
En stock
1 : 10,11000 €
Tube
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
IGBT
3 phases
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
336
En stock
1 : 11,10000 €
Tube
Tube
Actif
IGBT
3 phases
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
397
En stock
1 : 11,39000 €
Tube
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
IGBT
3 phases
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
onsemi
989
En stock
1 : 13,26000 €
Tube
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
IGBT
3 phases
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 26-PowerDIP (1,024po, 26,00mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
247
En stock
1 : 13,26000 €
Tube
Tube
Actif
IGBT
3 phases
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 26-PowerDIP (1,024po, 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
119
En stock
1 : 14,90000 €
Tube
Tube
Actif
IGBT
3 phases
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
363
En stock
1 : 15,63000 €
Tube
Tube
Actif
IGBT
3 phases
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
FND43060T2
IGBT IPM 600V 30A 26-PWRDIP MOD
onsemi
117
En stock
1 : 16,07000 €
Tube
Tube
Actif
IGBT
Inverseur triphasé
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 26-PowerDIP (1,024po, 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
273
En stock
1 : 17,41000 €
Tube
Tube
Actif
IGBT
3 phases
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 600V 20A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
153
En stock
1 : 17,63000 €
Tube
Tube
Actif
MOSFET
Inverseur triphasé
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
210
En stock
1 : 17,77000 €
Tube
Tube
Date de dernière disponibilité
IGBT
2 phases
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,028po, 26,10mm)
38-PowerDIP-Module-24-Leads
IGBT IPM 600V 15A 38-PWRDIP MOD
onsemi
374
En stock
800
Usine
1 : 17,88000 €
Tube
-
Tube
Actif
IGBT
Inverseur triphasé
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Trou traversant
Module 38-PowerDIP (0,610po, 24,00mm), 24 sorties
SPM27CC
IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
onsemi
223
En stock
1 : 19,47000 €
Tube
Tube
Actif
IGBT
3 phases
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Trou traversant
Module 27-PowerDIP (1,205po, 30,60mm)
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IGBT IPM 1.2KV 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
277
En stock
1 : 22,68000 €
Tube
En vrac
Tube
Actif
IGBT
Inverseur triphasé
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Trou traversant
Module 24-PowerDIP (1,094po, 27,80mm)
Affichage de
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Modules de circuits d'attaque de puissance


Les modules de circuits d'attaque de puissance fournissent le contenant physique pour les composants de puissance, généralement des IGBT et des MOSFET dans des configurations en demi-pont ou à une, deux et trois phases. Les puces ou les semi-conducteurs de puissance sont soudés ou frittés sur un substrat qui sert de support aux semi-conducteurs de puissance et fournit un contact électrique et thermique ainsi qu'un isolement électrique si besoin. Les modules de puissance fournissent une densité de puissance supérieure et sont dans la plupart des cas plus fiables et plus faciles à refroidir.