FET, MOSFET RF

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fréquence	Gain	Tension - Test	Courant nominal (A)	Facteur de bruit	Courant - Test	Puissance - Sortie	Tension - Nominale	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
MMBF5485 RF MOSFET JFET 15V SOT23-3 onsemi	33 841 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08376 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	JFET	Canal N	400MHz	-	15 V	10mA	4dB	-	-	25 V	-	-	Montage en surface	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
CE3512K2-C1 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX CEL	25 190 En stock	1 : 1,44000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,69078 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	pHEMT FET	-	12GHz	13,7dB	2 V	15mA	0,5dB	10 mA	125mW	4 V	-	-	-	4-Micro-X	4-Micro-X
CE3520K3-C1 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX CEL	362 En stock	1 : 1,96000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,97275 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	pHEMT FET	-	20GHz	13,8dB	2 V	15mA	0,8dB	10 mA	125mW	4 V	-	-	-	4-Micro-X	4-Micro-X
AFT05MS004NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A NXP USA Inc.	7 695 En stock	1 : 3,37000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 1,87178 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	LDMOS	-	520MHz	20,9dB	7.5 V	-	-	100 mA	4,9W	30 V	-	-	Montage en surface	TO-243AA	SOT-89A
AFT09MS007NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W NXP USA Inc.	5 889 En stock	1 : 11,12000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 6,80562 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	LDMOS	-	870MHz	15,2dB	7.5 V	-	-	100 mA	7,3W	30 V	-	-	Montage en surface	PLD-1,5W	PLD-1,5W
TAV2-501+ RF MOSFET E-PHEMT 4.5V MC1631-1 Mini-Circuits	5 592 En stock	1 : 11,82000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 1,38385 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	E-pHEMT	-	400MHz ~ 3,9GHz	23,5dB	4.5 V	-	1,3dB	280 mA	-	7 V	-	-	Montage en surface	8-TFDFN plot exposé	MC1631-1
SAV-551+ RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362 Mini-Circuits	4 573 En stock	1 : 15,60000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 1,02239 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	E-pHEMT	-	45MHz ~ 6GHz	20,9dB	3 V	-	1,8dB	15 mA	20dBm	5 V	-	-	Montage en surface	SC-82A, SOT-343	MMM1362
SAV-541+ RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362 Mini-Circuits	2 277 En stock	1 : 15,60000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 1,49746 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	E-pHEMT	-	45MHz ~ 6GHz	23,2dB	3 V	-	1,9dB	60 mA	21,5dB	5 V	-	-	Montage en surface	SC-82A, SOT-343	MMM1362
BLP9LA25SGZ RF MOSFET LDMOS SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	960 En stock	1 : 15,90000 € Bande coupée (CT) 500 : 10,28144 € Bande et bobine	BLP	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	LDMOS	-	1MHz ~ 941MHz	18,4dB	-	-	-	-	25W	13.6 V	-	-	Montage en surface	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	1 215 En stock	1 : 17,01000 € Bande coupée (CT) 500 : 11,04616 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	LDMOS	-	400MHz ~ 2,7GHz	19dB	28 V	1,4µA	-	180 mA	43dBm	65 V	-	-	Montage en surface	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S10GZ RF MOSFET LDMOS 50V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	1 535 En stock	1 : 19,02000 € Bande coupée (CT) 500 : 12,44554 € Bande et bobine	BLP	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	LDMOS	Source commune, double	1,4GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	60 mA	10W	104 V	-	-	Montage en surface	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S30GZ RF MOSFET LDMOS SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	2 705 En stock	1 : 19,88000 € Bande coupée (CT) 500 : 13,04608 € Bande et bobine	BLP	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	LDMOS	-	1MHz ~ 1,5GHz	17dB	-	-	-	-	30W	50 V	-	-	Montage en surface	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S30Z RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1 Ampleon USA Inc.	695 En stock	1 : 19,88000 € Bande coupée (CT) 500 : 13,04608 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	LDMOS	-	1,5GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	10 mA	30W	106 V	-	-	Montage en surface	SOT-1482-1	SOT-1482-1
MW6S004NT1 RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 NXP USA Inc.	3 533 En stock	1 : 21,66000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 13,92552 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	LDMOS	-	1,96GHz	18dB	28 V	-	-	50 mA	4W	68 V	-	-	Montage en surface	PLD-1,5	PLD-1,5
BLP0427M9S20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	483 En stock	1 : 22,65000 € Bande coupée (CT) 500 : 14,99410 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	LDMOS	-	400MHz ~ 2,7GHz	19dB	28 V	1,4µA	-	100 mA	20W	65 V	-	-	Montage en surface	SOT-1483-1	SOT1483-1
AFT05MS031GNR1 RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 NXP USA Inc.	881 En stock	1 : 33,18000 € Bande coupée (CT) 500 : 22,37670 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	LDMOS	-	520MHz	17,7dB	13.6 V	-	-	10 mA	31W	40 V	-	-	Montage en surface	TO-270BA	TO-270-2 GULL
MHT1803A RF MOSFET TO247 NXP USA Inc.	281 En stock	1 : 34,32000 € Tube	-	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	LDMOS	Canal N	1,8MHz ~ 50MHz	28,2dB	50 V	-	-	50 mA	300W	50 V	-	-	Trou traversant	3-SIP	3-SIL
MHT1803B RF MOSFET TO247 NXP USA Inc.	628 En stock	1 : 34,91000 € Tube	-	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF136 RF MOSFET 28V 211-07 MACOM Technology Solutions	500 En stock	1 : 41,21000 € Plateau	-	Plateau	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canal N	400MHz	16dB	28 V	2,5A	1dB	25 mA	15W	65 V	-	-	-	211-07	211-07, Style 2
CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN MACOM Technology Solutions	230 En stock	1 : 43,49000 € Bande coupée (CT) 200 : 30,84640 € Bande et bobine	GaN	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	HEMT	-	0Hz ~ 6GHz	12dB	28 V	-	-	100 mA	8W	84 V	-	-	Montage en surface	6-VDFN plot exposé	16-QFN (3x3)
AFT05MP075NR1 RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 NXP USA Inc.	2 496 En stock	1 : 53,48000 € Bande coupée (CT) 500 : 37,14872 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	LDMOS	Double	520MHz	18,5dB	12.5 V	-	-	400 mA	70W	40 V	-	-	Montage en surface	TO-270AB	TO-270 WB-4
QPD0030 DC-4 GHZ, 45W, 48V GAN RF PWR TR Qorvo	260 En stock	1 : 71,71000 € Bande coupée (CT) 250 : 36,62928 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	GaN HEMT	-	5GHz	15,5dB	48 V	-	-	150 mA	45W	55 V	-	-	Montage en surface	20-VFQFN plot exposé	20-QFN (3x4)
MRF300BN RF MOSFET LDMOS 50V TO247 NXP USA Inc.	275 En stock	1 : 77,81000 € Tube	-	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	LDMOS	-	27MHz ~ 250MHz	18,7dB	50 V	-	-	-	300W	-	-	-	Trou traversant	TO-247-3	TO-247
MRF300AN RF MOSFET LDMOS 50V TO247 NXP USA Inc.	266 En stock	1 : 78,59000 € Tube	-	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	LDMOS	-	27MHz ~ 250MHz	28dB	50 V	-	-	-	300W	-	-	-	Trou traversant	TO-247-3	TO-247
CGH40010F RF MOSFET HEMT 28V 440166 MACOM Technology Solutions	546 En stock	1 : 83,51000 € Plateau	GaN	Plateau	Pas pour les nouvelles conceptions	HEMT	-	0Hz ~ 6GHz	14,5dB	28 V	3,5A	-	200 mA	12,5W	84 V	-	-	-	440166	440166

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Les transistors RF, FET et MOSFET sont des dispositifs à semi-conducteurs dotés de trois bornes dans lesquels le flux de courant est contrôlé par un champ électrique. Les dispositifs de cette gamme sont conçus pour être utilisés dans des équipements impliquant des radiofréquences. Les types de transistors pour l'amplification ou la commutation du signal ou de l'alimentation incluent : E-pHEMT, LDMOS, MESFET, à canal N, à canal P, pHEMT, au carbure de silicium, à 2 canaux N et à 4 canaux N.

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