XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Produits semi-conducteurs discrets

XP3R303GMT-L est obsolète et n'est plus fabriqué.

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YAGEO XSEMI

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XP3R303GMT-L
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3R303GMT-L
Description	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PMPAK® 5 x 6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3R303
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	31A (Ta), 105A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,3mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2240 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 56,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PMPAK® 5 x 6
Boîtier	8-PowerLDFN