Nouveaux produits chez DigiKey
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XP3NA3R4AMT

Numéro de produit DigiKey
5048-XP3NA3R4AMTTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant
XP3NA3R4AMT
Description
MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 29A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,2W (Tc) Montage en surface 8-PMPAK (5x6)
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
YAGEO XSEMI
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
29A (Ta), 73A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,4mohms à 19A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
60.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2576 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 31,2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-PMPAK (5x6)
Boîtier
8-PowerLDFN
Questions et réponses sur les produits

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Manufacturer Quote Required
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