Canal N 30 V 20A (Ta), 63,5A (Tc) 3,12W (Ta) Montage en surface PMPAK® 3 x 3
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Canal N 30 V 20A (Ta), 63,5A (Tc) 3,12W (Ta) Montage en surface PMPAK® 3 x 3
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP3N5R0AYT

Numéro de produit DigiKey
5048-XP3N5R0AYTTR-ND - Bande et bobine
5048-XP3N5R0AYTCT-ND - Bande coupée (CT)
5048-XP3N5R0AYTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant
XP3N5R0AYT
Description
MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 20A (Ta), 63,5A (Tc) 3,12W (Ta) Montage en surface PMPAK® 3 x 3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
YAGEO XSEMI
Série
XP3N5R0A
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20A (Ta), 63,5A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5mohms à 19A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2800 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,12W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PMPAK® 3 x 3
Boîtier
8-PowerTDFN
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En stock: 1 000
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
10,59000 €0,59 €
100,37100 €3,71 €
1000,23740 €23,74 €
5000,17992 €89,96 €
1 0000,16139 €161,39 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,12880 €386,40 €
6 0000,11769 €706,14 €
9 0000,11203 €1 008,27 €
15 0000,10568 €1 585,20 €
21 0000,10191 €2 140,11 €
30 0000,09825 €2 947,50 €
75 0000,09505 €7 128,75 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,59000 €
Prix unitaire avec TVA:0,70800 €