Name: XP3N020YT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N020YTTR-ND
Price: 0.756 EUR
Availability: InStock

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XP3N020YT
Numéro de produit DigiKey	5048-XP3N020YTTR-ND - Bande et bobine 5048-XP3N020YTCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP3N020YTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP3N020YT
Description	MOSFET N-CH 30V 10A PMPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 10 A (Ta) 3,12W (Ta) Montage en surface PMPAK® 3 x 3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP3N020
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	20mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	880 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,12W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PMPAK® 3 x 3
Boîtier	8-PowerDFN
Numéro de produit de base	XP3N

Questions et réponses sur les produits

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