C2M1000170D est obsolète et n'est plus fabriqué.
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C2M1000170D

Numéro de produit DigiKey
C2M1000170D-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
C2M1000170D
Description
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 1700 V 4,9 A (Tc) 69W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
C2M1000170D Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,1ohms à 2A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
13 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
191 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
69W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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