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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
WNSC5D086506Q | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1740-WNSC5D086506Q-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | WNSC5D086506Q |
Description | DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 34 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 650 V 8A Trou traversant TO-220AC |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 40 µA @ 650 V |
Conditionnement Tube | Capacité à Vr, F 267pF à 1V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 650 V | Boîtier fournisseur TO-220AC |
Courant - Moyen redressé (Io) 8A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.7 V @ 8 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io) |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| WNSC5D08650X6Q | WeEn Semiconductors | 0 | 1740-WNSC5D08650X6Q-ND | 0,35094 € | Équivalent paramétrique |
| BSDH08G65E2 | Bourns Inc. | 0 | 118-BSDH08G65E2-ND | 2,90364 € | Équivalent paramétrique |
| IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IDH08G65C5XKSA1-ND | 0,00000 € | Équivalent paramétrique |
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 77 | 448-IDH08G65C5XKSA2-ND | 3,98000 € | Équivalent paramétrique |
| PCDP0865G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | 1 995 | 3757-PCDP0865G1_T0_00001-ND | 2,72000 € | Équivalent paramétrique |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,39210 € | 1 176,30 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,39210 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,47052 € |
