IDH08G65C5XKSA1 est en rupture de stock et les commandes différées sont actuellement indisponibles.
Substituts disponibles:

Direct


Infineon Technologies
En stock: 500
Prix unitaire : 3,26000 €
Fiche technique

Direct


STMicroelectronics
En stock: 181
Prix unitaire : 3,16000 €
Fiche technique

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SMC Diode Solutions
En stock: 1 438
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En stock: 0
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Prix unitaire : 1,81000 €
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En stock: 943
Prix unitaire : 2,31000 €
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Équivalent paramétrique


Bourns Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 2,92737 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique


onsemi
En stock: 423
Prix unitaire : 2,47000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique


Panjit International Inc.
En stock: 1 995
Prix unitaire : 3,14000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique


onsemi
En stock: 27 243
Prix unitaire : 3,55000 €
Fiche technique
TO-220-2
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IDH08G65C5XKSA1

Numéro de produit DigiKey
IDH08G65C5XKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IDH08G65C5XKSA1
Description
DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2202
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 8A Trou traversant PG-TO220-2-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
8A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 8 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
280 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
250pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
PG-TO220-2-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
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