Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 2.412 EUR
Availability: InStock

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SUD50N04-8M8P-4GE3
Numéro de produit DigiKey	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Bande et bobine SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUD50N04-8M8P-4GE3
Description	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 14 A (Ta), 50 A (Tc) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Ta), 50 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SUD50
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,8mohms à 20A, 10V