
SQM120N10-3M8_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQM120N10-3M8_GE3TR-ND - Bande et bobine SQM120N10-3M8_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQM120N10-3M8_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQM120N10-3M8_GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQM120N10-3M8_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 190 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7230 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,8mohms à 20A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK765R0-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 1 607 | 1727-7135-1-ND | 4,50000 € | Direct |
| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 12 | 448-IPB049N08N5ATMA1CT-ND | 2,84000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,35000 € | 4,35 € |
| 10 | 2,88000 € | 28,80 € |
| 100 | 2,04690 € | 204,69 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | 1,61171 € | 1 289,37 € |
| 1 600 | 1,51021 € | 2 416,34 € |
| 2 400 | 1,46544 € | 3 517,06 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,35000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,22000 € |











