Name: SQM120N06-3M5L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N06-3M5L_GE3TR-ND
Price: 5.364 EUR
Availability: InStock

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SQM120N06-3M5L_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQM120N06-3M5L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQM120N06-3M5L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQM120N06-3M5L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQM120N06-3M5L_GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,5mohms à 29A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	330 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14700 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SQM120