Name: SQJQ112ER-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112ER-T1_GE3TR-ND
Price: 4.98 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SQJQ112ER-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJQ112ER-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJQ112ER-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJQ112ER-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJQ112ER-T1_GE3
Description	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	296A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,53mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	272 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15945 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	600W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 8 x 8
Boîtier	8-PowerSMD, papillon