Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 5.04 EUR
Availability: InStock

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SQJQ112E-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJQ112E-T1_GE3
Description	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJQ112E-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 272 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15945 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 600W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 296A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 8 x 8
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,53mohms à 20A, 10V	Boîtier PowerPAK® 8 x 8