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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQJ952EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQJ952EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ952EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ952EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ952EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 23 A (Tc) 25W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ952EP-T1_GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800pF à 30V |
Série | Puissance - Max. 25W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 10,3A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,83000 € | 1,83 € |
| 10 | 1,16500 € | 11,65 € |
| 100 | 0,78730 € | 78,73 € |
| 500 | 0,62542 € | 312,71 € |
| 1 000 | 0,57333 € | 573,33 € |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,50722 € | 1 521,66 € |
| 6 000 | 0,47396 € | 2 843,76 € |
| 9 000 | 0,45702 € | 4 113,18 € |
| 15 000 | 0,44875 € | 6 731,25 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,83000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,19600 € |
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