Name: SI7252ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI7252ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.832 EUR
Availability: InStock

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SI7252ADP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI7252ADP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI7252ADP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7252ADP-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 9,3A (Ta), 28,7A (Tc) 3,6W (Ta), 33,8W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI7252ADP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26,5nC à 10V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1266pF à 50V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 3,6W (Ta), 33,8W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier powerPAK® SO-8 double
Tension drain-source (Vdss) 100V	Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,3A (Ta), 28,7A (Tc)	Numéro de produit de base SI7252
Rds On (max.) à Id, Vgs 18,6mohms à 10A, 10V