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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQD50N05-11L_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQD50N05-11L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQD50N05-11L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQD50N05-11L_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQD50N05-11L_GE3 |
Description | MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 50 V 50 A (Tc) 75W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2106 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 75W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 50 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 45A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJ166ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 2 865 | 742-SQJ166ELP-T1_GE3CT-ND | 1,34000 € | Recommandation fabricant |
| FDD8647L | onsemi | 142 | FDD8647LCT-ND | 1,62000 € | Similaire |
En stock: 10
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,21000 € | 2,21 € |
| 10 | 1,42100 € | 14,21 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,21000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,65200 € |
