Name: SQ7414CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ7414CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.608 EUR
Availability: InStock

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SQ7414CENW-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ7414CENW-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ7414CENW-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ7414CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ7414CENW-T1_GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 18 A (Tc) 62W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8W
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1590 pF @ 30 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 62W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8W
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier powerPAK® 1212-8W
Rds On (max.) à Id, Vgs 23mohms à 8,7A, 10V	Numéro de produit de base SQ7414
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,34000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,60800 €

SQ7414CENW-T1_GE3