Name: SQ1464EEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1464EEH-T1_GE3TR-ND
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SQ1464EEH-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ1464EEH-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ1464EEH-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ1464EEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ1464EEH-T1_GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 440mA (Tc) 430mW (Tc) Montage en surface SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQ1464EEH-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	440mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,41ohms à 2A, 1,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	140 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	430mW (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-70-6
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base	SQ1464