Name: SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.424 EUR
Availability: InStock

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SIZF4800LDT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZF4800LDT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAIR® 3x3FS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIZF4800LDT-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta), 36 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	19mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	950pF à 40V
Puissance - Max.	4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	12-PowerPair™
Boîtier fournisseur	PowerPAIR® 3x3FS