
SIZF4800LDT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZF4800LDT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAIR® 3x3FS |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZF4800LDT-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 19mohms à 10A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 950pF à 40V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 80V | Boîtier 12-PowerPair™ |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta), 36 A (Tc) | Boîtier fournisseur PowerPAIR® 3x3FS |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,12000 € | 2,12 € |
| 10 | 1,36600 € | 13,66 € |
| 100 | 0,93080 € | 93,08 € |
| 500 | 0,74450 € | 372,25 € |
| 1 000 | 0,68459 € | 684,59 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,60855 € | 1 825,65 € |
| 6 000 | 0,57030 € | 3 421,80 € |
| 9 000 | 0,55403 € | 4 986,27 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,12000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,54400 € |








