
SIZ260DT-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SIZ260DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZ260DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZ260DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZ260DT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 80V 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZ260DT-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820pF à 40V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 4,3W (Ta), 33W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier 8-PowerWDFN |
Tension drain-source (Vdss) 80V | Boîtier fournisseur 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 24,5mohms à 10A, 10V, 24,7mohms à 10A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,70000 € | 1,70 € |
| 10 | 1,08300 € | 10,83 € |
| 100 | 0,72840 € | 72,84 € |
| 500 | 0,57678 € | 288,39 € |
| 1 000 | 0,52799 € | 527,99 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,46605 € | 1 398,15 € |
| 6 000 | 0,43489 € | 2 609,34 € |
| 9 000 | 0,41902 € | 3 771,18 € |
| 15 000 | 0,40668 € | 6 100,20 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,70000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,04000 € |











