Name: SIUD412ED-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIUD412ED-T1-GE3TR-ND
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

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SIUD412ED-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIUD412ED-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIUD412ED-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIUD412ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIUD412ED-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 12 V 500mA (Tc) 1,25W (Ta) Montage en surface PowerPAK® 0806
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIUD412ED-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	500mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,2V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	340mohms à 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.71 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	21 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,25W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 0806
Boîtier	PowerPAK® 0806
Numéro de produit de base	SIUD412

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