Name: SISH108DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH108DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.188 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SISH108DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SISH108DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISH108DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISH108DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISH108DN-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 14 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SISH108DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 4,9mohms à 22A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Série TrenchFET® Gen II	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±16V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Ta)	Boîtier PowerPAK® 1212-8SH
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SISH108

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2 172

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine