
SIS932EDN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS932EDN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS932EDN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 22mohms à 10A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 14nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1000pF à 15V | |
Puissance - Max. | 2,6W (Ta), 23W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® 1212-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® 1212-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,83000 € | 0,83 € |
| 10 | 0,51800 € | 5,18 € |
| 100 | 0,33680 € | 33,68 € |
| 500 | 0,25866 € | 129,33 € |
| 1 000 | 0,23346 € | 233,46 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,20143 € | 604,29 € |
| 6 000 | 0,18530 € | 1 111,80 € |
| 9 000 | 0,17709 € | 1 593,81 € |
| 15 000 | 0,16785 € | 2 517,75 € |
| 21 000 | 0,16238 € | 3 409,98 € |
| 30 000 | 0,15707 € | 4 712,10 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,83000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,99600 € |











