Name: SIR662DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR662DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.988 EUR
Availability: InStock

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SIR662DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIR662DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR662DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR662DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR662DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 60 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIR662DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4365 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SIR662
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,7mohms à 20A, 10V