Name: SIR5812DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND
Price: 1.524 EUR
Availability: InStock

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SIR5812DP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIR5812DP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIR5812DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR5812DP-T1-RE3
Description	MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 13A (Ta), 45,3A (Tc) 4,1W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 13,5mohms à 10A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 775 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 4,1W (Ta), 50W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13A (Ta), 45,3A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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