
SIR410DP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIR410DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR410DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIR410DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 35 A (Tc) 4,2W (Ta), 36W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 4,8mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1600 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 4,2W (Ta), 36W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,14000 € | 1,14 € |
| 10 | 0,79300 € | 7,93 € |
| 100 | 0,58210 € | 58,21 € |
| 500 | 0,45780 € | 228,90 € |
| 1 000 | 0,41781 € | 417,81 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,36736 € | 1 102,08 € |
| 6 000 | 0,34145 € | 2 048,70 € |
| 9 000 | 0,33240 € | 2 991,60 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,14000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,36800 € |











