Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 4.944 EUR
Availability: InStock

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SIJH112E-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIJH112E-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIJH112E-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8050 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 8 x 8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	SIJH112