Name: SIJA52DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIJA52DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.472 EUR
Availability: OutOfStock

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SIJA52DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIJA52DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIJA52DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIJA52DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIJA52DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 60 A (Tc) 48W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIJA52DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 20 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) +20V, -16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7150 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 48W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SIJA52
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7mohms à 15A, 10V

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,06000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,47200 €

SIJA52DP-T1-GE3