Name: SIJ4106DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4106DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.712 EUR
Availability: InStock

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SIJ4106DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIJ4106DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIJ4106DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIJ4106DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIJ4106DP-T1-GE3
Description	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 15,8A (Ta), 59A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 8,3mohms à 15A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3610 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 69,4W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15,8A (Ta), 59A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8