Name: SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 8.256 EUR
Availability: InStock

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SIHR080N60E-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHR080N60E-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIHR080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHR080N60E-T1-GE3
Description	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 51 A (Tc) 500W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIHR080N60E-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 84mohms à 17A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Série E	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2557 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 500W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 51 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® 8 x 8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerSMD, papillon

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Documents et supports

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 000	2,70906 €	5 418,12 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	6,88000 €
Prix unitaire avec TVA:	8,25600 €

SIHR080N60E-T1-GE3