Name: SIHP4N80E-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHP4N80E-BE3TR-ND
Price: 3.072 EUR
Availability: InStock

Canal N 800 V 4,3 A (Tc) 69W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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SIHP4N80E-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHP4N80E-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHP4N80E-BE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHP4N80E-BE3
Description	N-CHANNEL 600V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 4,3 A (Tc) 69W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,27ohms à 2A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série E	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 622 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 69W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,3 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)