Name: SIHK125N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHK125N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.564 EUR
Availability: InStock

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SIHK125N60E-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHK125N60E-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHK125N60E-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIHK125N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHK125N60E-T1-GE3
Description	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 21 A (Tc) 132W (Tc) Montage en surface PowerPAK®10 x 12
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 12A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Série E	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 44 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1811 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 132W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK®10 x 12
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerBSFN

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Documents et supports

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En stock: 2 000

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 000	1,99514 €	3 990,28 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	5,47000 €
Prix unitaire avec TVA:	6,56400 €

SIHK125N60E-T1-GE3