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SIHG24N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG24N65EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG24N65EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 122 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2774 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 156mohms à 12A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH170N60 | onsemi | 182 | FCH170N60-ND | 5,61000 € | Similaire |
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | 270 | IPW60R165CPFKSA1-ND | 4,93000 € | Similaire |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5 050 | 238-IXFH22N65X2-ND | 7,03000 € | Similaire |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | 3,93667 € | Similaire |
| IXKH24N60C5 | IXYS | 0 | IXKH24N60C5-ND | 3,01700 € | Similaire |
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,26000 € | 6,26 € |
| 10 | 4,22800 € | 42,28 € |
| 100 | 3,07310 € | 307,31 € |
| 500 | 2,58104 € | 1 290,52 € |
| 1 000 | 2,42312 € | 2 423,12 € |
| 2 000 | 2,39035 € | 4 780,70 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 6,26000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 7,51200 € |
