
SIHG039N60EF-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIHG039N60EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG039N60EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 61 A (Tc) 357W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 126 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4323 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 357W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 40mohms à 32A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
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| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 50,93000 € | Similaire |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 40,20000 € | Similaire |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | 35,45000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 11,46000 € | 11,46 € |
| 10 | 7,99000 € | 79,90 € |
| 100 | 6,03160 € | 603,16 € |
| 500 | 5,29168 € | 2 645,84 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 11,46000 € |
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| Prix unitaire avec TVA: | 13,75200 € |

