Canal N 600 V 61 A (Tc) 357W (Tc) Trou traversant TO-247AC
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SIHG039N60EF-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHG039N60EF-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHG039N60EF-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
28 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 61 A (Tc) 357W (Tc) Trou traversant TO-247AC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
126 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4323 pF @ 100 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
TO-247AC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
40mohms à 32A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
TSM60NE048PW C0GTaiwan Semiconductor Corporation3001801-TSM60NE048PWC0G-ND50,93000 €Similaire
TSM60NE069PW C0GTaiwan Semiconductor Corporation2951801-TSM60NE069PWC0G-ND40,20000 €Similaire
TSM60NE084PW C0GTaiwan Semiconductor Corporation2651801-TSM60NE084PWC0G-ND35,45000 €Similaire
En stock: 435
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
111,46000 €11,46 €
107,99000 €79,90 €
1006,03160 €603,16 €
5005,29168 €2 645,84 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:11,46000 €
Prix unitaire avec TVA:13,75200 €