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Fiche technique
Canal N 500 V 5 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-252AA
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SIHFR430ATR-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SIHFR430ATR-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHFR430ATR-GE3
Description
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 5 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
24 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
490 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,7ohms à 3A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (5)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IRFR430APBFVishay Siliconix958IRFR430APBF-ND2,40000 €Équivalent paramétrique
IRFR430ATRLPBFVishay Siliconix0IRFR430ATRLPBF-ND0,65641 €Équivalent paramétrique
IRFR430ATRPBFVishay Siliconix1 748IRFR430ATRPBFCT-ND2,40000 €Équivalent paramétrique
SIHFR430ATRL-GE3Vishay Siliconix0742-SIHFR430ATRL-GE3TR-ND0,34355 €Équivalent paramétrique
SIHFR430ATRR-GE3Vishay Siliconix0742-SIHFR430ATRR-GE3TR-ND0,34355 €Équivalent paramétrique
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0000,35981 €719,62 €
4 0000,33299 €1 331,96 €
6 0000,31932 €1 915,92 €
10 0000,30809 €3 080,90 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,35981 €
Prix unitaire avec TVA:0,43177 €