Équivalent paramétrique
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SIHFR430ATR-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHFR430ATR-GE3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHFR430ATR-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 5 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 490 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7ohms à 3A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR430APBF | Vishay Siliconix | 958 | IRFR430APBF-ND | 2,40000 € | Équivalent paramétrique |
| IRFR430ATRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFR430ATRLPBF-ND | 0,65641 € | Équivalent paramétrique |
| IRFR430ATRPBF | Vishay Siliconix | 1 748 | IRFR430ATRPBFCT-ND | 2,40000 € | Équivalent paramétrique |
| SIHFR430ATRL-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHFR430ATRL-GE3TR-ND | 0,34355 € | Équivalent paramétrique |
| SIHFR430ATRR-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHFR430ATRR-GE3TR-ND | 0,34355 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 0,35981 € | 719,62 € |
| 4 000 | 0,33299 € | 1 331,96 € |
| 6 000 | 0,31932 € | 1 915,92 € |
| 10 000 | 0,30809 € | 3 080,90 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,35981 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,43177 € |



