SIHF12N50C-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Vishay Siliconix
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Prix unitaire : 4,16000 €
Fiche technique
Canal N 500 V 12 A (Tc) 36W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
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SIHF12N50C-E3

Numéro de produit DigiKey
SIHF12N50C-E3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHF12N50C-E3
Description
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 12 A (Tc) 36W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1375 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
36W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
Boîtier complet TO-220
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
555mohms à 4A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IRFSL11N50APBFVishay Siliconix0IRFSL11N50APBF-ND4,16000 €Recommandation fabricant
Obsolète
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