Recommandation fabricant

SIHF12N50C-E3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIHF12N50C-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHF12N50C-E3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 12A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 12 A (Tc) 36W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1375 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 36W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 555mohms à 4A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
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| IRFSL11N50APBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFSL11N50APBF-ND | 4,16000 € | Recommandation fabricant |


