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SIHD6N65ET5-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHD6N65ET5-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD6N65ET5-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R600P6ATMA1-ND | 0,00000 € | Similaire |
| IXFA14N60P | IXYS | 90 | IXFA14N60P-ND | 6,08000 € | Similaire |
| IXFA16N60P3 | IXYS | 0 | IXFA16N60P3-ND | 4,86327 € | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,56732 € | 1 701,96 € |
| 6 000 | 0,55244 € | 3 314,64 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,56732 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,68078 € |
