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Fiche technique
Canal N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA
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SIHD6N65ET1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHD6N65ET1-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHD6N65ET1-GE3
Description
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
820 pF @ 100 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
78W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
600mohms à 3A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
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Disponible sur commande
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0000,59126 €1 182,52 €
4 0000,55244 €2 209,76 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,59126 €
Prix unitaire avec TVA:0,70951 €