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SIHD5N50D-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHD5N50D-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHD5N50D-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD5N50D-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 5,3 A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface DPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 325 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 104W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur DPAK |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 2,5A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830PBF | Vishay Siliconix | 2 484 | IRF830PBF-ND | 2,27000 € | Recommandation fabricant |
| FDD5N50NZTM | onsemi | 4 768 | FDD5N50NZTMCT-ND | 1,47000 € | Similaire |
| RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | RJK5030DPD-00#J2-ND | 0,65362 € | Similaire |
| STD5N52K3 | STMicroelectronics | 0 | 497-10957-1-ND | 1,68000 € | Similaire |
| STD5N52U | STMicroelectronics | 3 309 | 497-10017-1-ND | 1,55000 € | Similaire |
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